MOS管损坏的多种原因

MOS管在电路板中非常常见，今天我来分享一下关于MOS管损坏的多种原因。

关于MOS管

MOS管是一种电压驱动型器件，只需要在栅极和源极之间施加适当的电压，就可以形成源极和漏极之间的电流通路。

这个电流通路的阻抗被称为MOS内阻，也就是导通电阻。这个内阻的大小基本上决定了MOS芯片能够承受的最大导通电流（当然还与其他因素有关，最主要的是热阻）。内阻越小，MOS芯片能够承受的电流就越大（因为发热较小）。

MOS管在控制器电路中具有以下几种工作状态：

1. 开通过程：从截止到导通的过渡过程。
2. 导通状态：源极和漏极之间有电流通过。
3. 关断过程：从导通到截止的过渡过程。
4. 截止状态：源极和漏极之间没有电流通过。

MOS损坏主要原因：

• 过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；
• 过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿；
• 静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电；

第一种：雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

典型电路：

第二种：器件发热损坏

由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热

• 导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）

• 由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）

• 瞬态功率原因：外加单触发脉冲

• 负载短路

• 开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）

• 内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）

器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。

第三种：内置二极管破坏

在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，

导致此二极管破坏的模式。

第四种：由寄生振荡导致的破坏

此破坏方式在并联时尤其容易发生。

在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压。

由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。

第五种：栅极电涌、静电破坏

主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏。

总结

避免MOS因为器件发热而造成的损坏，需要做好足够的散热设计。若通过增加散热器和电路板的长度来供所有MOS管散热，这样就会增加机箱的体积，同时这种散热结构，风量发散，散热效果不好。

有些大功率逆变器MOS管会安装通风纸来散热，但安装很麻烦。所以MOS管对散热的要求很高，散热条件分为最低和最高，即在运行中的散热情况的上下浮动范围。一般在选购的时候通常采用最差的散热条件为标准，这样在使用的时候就可以留出最大的安全余量，即使在高温中也能确保系统的正常运行。

以上就是良许教程网为各位朋友分享的Linu系统相关内容。想要了解更多Linux相关知识记得关注公众号“良许Linux”，或扫描下方二维码进行关注，更多干货等着你 ！