在一些电源和低速信号线中,电容也被用来抵抗ESD,但是电容到底能够抗多大的ESD电压呢?ESD耐性和电容量之间是否存在关联呢?
TVS或者ESD器件在制造过程中,有可能会引发ESD事件并且造成损坏。为了模拟这些事件,有三种模型可用于测试:
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人体模型(Human Body Model,HBM)模拟人体释放静电时的事件; -
机械模型(Machine Model,MM)模拟机器释放静电时的事件; -
充电设备模型(Charged Device Model,CDM)模拟带电设备释放静电时的事件。
电容的ESD耐性与电容量之间是否存在关联?这取决于电容类型和制造工艺。通常情况下,电容的容量越大,其ESD耐性也将越强。但是,此规律并不是完全适用于所有电容。因此,在选择电容时应该根据具体电路的要求和电容品质来决定。
图片来自TI培训
回到正题,HBM一般有两种测试规格,一种是IEC61000-4-2标准,一种是AEC-Q200-002。
IEC61000-4-2标准是针对ESD静电放电抗扰度实验的,ESD测试分为空气和接触测试两种,需要用到静电枪,如下给出了静电枪或者说静电发生器的电路简图。
静电发生器内部电路简图
Rc为充电电阻,Cd为充电电容,Rd为放电电阻,简单的工作原理就是:充电开关开,放电开关关,直流高压电源通过Rc对Cd充电;充电开关关,放电开关开,Cd储存电荷对被测设备释放。
IEC61000-4-2会比AEC-Q200-002更常用,差别在于Rd阻值不同。
在知道这些基本知识后,如果对一个电容打ESD,也就是如下这样:
输出端加上被测电容Cx,电容两端电压为Vx
对一个10KV 150PF的模型来说,含有的能量为Q=CV。
假设能量全部释放掉,Cx=10NF上的瞬间电压会达到10KV*150PF/(10nF +150pF)=147.78V,这个电压还是很高的,一定程度会损坏电容。
算了一下1nF、10nF、22nF、47nF和100nF在10KV 150pF模型和10KV 330pF模型下瞬间达到的电压值,当电容达到100nF时,电容上的电压已经很低了,电容是可以承受的,而且假设前提是模型的能量全部释放,实际电压会更低一点。
感兴趣的,可以算一算其他放电电压,比如15KV和25KV,以及其他不同容值。
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