STM32L0芯片FLASH编程示例及提醒

这里就STM32L053芯片的FLASH编程进行一个简单的演示并给予一些提醒，供有实际需求的人士参考。

通常情况下，FLASH编程主要包括擦除、代码编程和Option字修改操作，关于Option编程的详细介绍在本文不做涉及。

STM32L0芯片的擦除操作不仅支持全片擦除，还支持页擦除，每页大小为128Bytes，即32个字。编程可以选择按字或按半页【64Bytes】进行。单页擦除、单字编程以及半页编程所需要的时间都大致相同，约为3.2ms左右，这一点在芯片数据手册中也有明确说明

这里提醒两点。第一点，在做擦除或编程时，要注意地址对齐的问题，页擦除时地址要128字节对齐，字编程注意4字节对齐，半页编程时注意64字节对齐。还有一点就是做半页编程时，半页编程的执行代码要放到RAM里进行，这点手册也强调了。

下面演示字编程、页编程、页擦除的操作。这里我先以字编程模式写5个字，然后以半页编程模式对5个半页进行FLASH编程，并记录二者所花的时间，看看字编程时间跟半页编程的是否一致。另外，在完成5个半页编程之后，又进行了页擦除操作，擦除刚才已编程的5个半页中的1页，即最后应只剩下3个半页的内容【注：对于STM32L0系列芯片，内部FLASH被擦除后内容为全0】。

下面代码截图是基于STM32Cube库来组织的，主要涉及到字编程、半页编程、页擦除三个操作，对应着绿色下划线的3个库函数。

其中，半页编程的执行代码需配置到RAM里去运行。另外，Period1和Period2分别来存放写5个字和5个半页的编程时间，并放在指定的FLASH位置。编译运行后我们可以看到如下结果：

上面截图是经过运行后芯片内部的部分FLASH空间的内容。5个红色方框围住的数据乃5个字编程后的结果，蓝色方框内的数据乃5次半页编程后的结果，但最终只看到3个半页的编程内容，那是因为后面两个半页的内容经页擦除操作后而消失了。

用来统计编程时间的定时器的计数频率为1MHz,显然Period1和Period2基本是相等的，将它们再除以5后所得编程时间都是3.3ms的样子。显而易见，进行批量代码编程时采用半页编程更高效。

前面说了做半页编程时其执行代码需放到RAM运行，该代码在STM32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。实现该操作对于不同的IDE在处理上稍有差异。这里基于ARM MDK进行简单配置，划分点RAM出来给它用。

关于STM32L0系列FLASH编程的演示就介绍到这里，愿能帮到有需之人以节省些时间和精力。

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