1、栅极-发射极尖峰电压保护措施

为了有效地防止静电放电和栅极尖峰电压的发生，可以在MOSFET的栅极和源极之间加入一个外部齐纳二极管。然而，需要注意的是，这种措施可能会对齐纳二极管的电容产生轻微的负面影响。

图 1 栅极尖峰电压的防1护

2、最佳的栅极电阻器

开关速度根据栅极电阻器值而有所不同。增大栅极电阻器值会降低MOSFET 的开关速度，并增大其开关损耗。减小栅极电阻器值会增大MOSFET 的开关速度，但由于线路杂散电感和其它因素的影响，可能在其漏极端子和源极端子之间产生了尖峰电压。

因此，必须选择最佳的栅极电阻器。有时会使用不同的栅极电阻器来开通和关断 MOSFET。图 2 显示了使用不同的栅极电阻器进行开通和关断的示例。

图 2 栅极电阻器

3、栅极故障预防

MOSFET 的一大问题在于其漏栅电容会导致出现寄生开通（自开通）现象。关断后，MOSFET 的源极和漏极之间形成陡峭的 dv／dt。产生的电流经由漏栅电容流到栅极。导致栅极电阻器中发生的电压降提高栅极电压。该电流计算如下：

iDG＝Cgd·dVDS／dt

图 3 显示了电流通路。

如果 dv／dt 的斜率极为陡峭，则根据栅源电容与栅漏电容的比率为 MOSFET 的栅极施加电压。如果出现这种情况，可能会发生自开通。

如果在二极管反向恢复期间对处于关断状态的 MOSFET 施加快速变化的电压，也可能发生自开通。有三种方法可以防止出现自开通现象：

在栅极和源极之间添加一个电容器

在栅极和源极之间插入的电容器会吸收因 dv／dt 产生的漏栅电流。该电路如图 4 中所示。由于栅源电容器与 Cgs 在 MOSFET 内部并联连接，因此栅极电荷会增加。如果栅极电压固定，您可以通过改变栅极电阻器值来保持 MOSFET 的开关速度不变，但这样会增大消耗的驱动功率。

米勒箝位电路

米勒箝位电路利用开关器件使 MOSFET 的栅极与源极之间的通路发生短路。通过在相关 MOSFET 的栅极和源极之间添加另一个 MOSFET 来实现短路。在图 5 中，如果电压降至预定义电压以下，低于米勒电压，则通过比较器提供逻辑高，开通栅极和源极之间的 MOSFET。而这样又会使输出 MOSFET 的栅源通路发生短路，并抑制通过反馈电容器Crss 和栅极电阻器的电流导致的栅极电压升高。