存储器可分为两大类：RAM和ROM。RAM不再详述，专注探讨ROM。

最初的ROM无法编程，一经生产内容即固定不变，缺乏灵活性。

随后出现了PROM，允许一次性编写，若写错只能更换芯片，只好认栽。

随着人类文明的不断进步，出现了可多次擦写的EPROM，每次擦除需要将芯片置于紫外线下，想象一下，你向单片机写入程序后发现需要加一句话，于是你必须将单片机放在紫外灯下照射半小时，然后才能进行下一次操作，这种过程虽然耗时，修改次数有限。

历史的车轮不断向前推进，伟大的EEPROM登场，拯救了众多程序员，终于可以自由修改ROM中的内容。

EEPROM的全称是“Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory”，即电可擦除可编程只读存储器。相较于紫外照射擦除的ROM而言，EEPROM提供了更高的灵活性。如今，已经存在多种EEPROM变种，演变成一类存储器的统称。

狭义的EEPROM

这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

例如常见的24C02：

广义的EEPROM

flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

flash做的改进就是擦除时,不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。

MB存量的ROM一般都是flash。如W25Q128JVSIQ：

flash又分为nor flash和nand flash。

（1）nor flash：

nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。

（2）nand flash：

nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，nor flash没有页），例如：W29N01HVSINA。

由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

使用寿命上，nor flash的擦除次数是nand的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。

因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。

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